G5 양산 돌입…웨이퍼 한 장당 칩 생산량 최소 50% 확대
3년 새 D램 점유율 1% 미만→10%…HBM 투자도 확대
중국 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 몸집이 빠르게 커지고 있다. 3년 전 1%에도 못 미쳤던 글로벌 D램 매출 점유율은 10%까지 올라왔고, 올해 말 웨이퍼 생산능력은 월 35만장에 이를 것으로 전망된다.
이번에는 12나노미터(nm) 수준까지 미세화한 차세대 D램 공정을 양산에 올렸다. 아직 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 제품에서는 삼성전자·SK하이닉스와 격차가 크지만, 범용 D램에서 시작한 CXMT의 사업 영역은 모바일용 D램과 HBM으로 넓어지고 있다.
더 작게, 더 많이…G5 양산 돌입
CXMT는 20일 중국 허페이에서 열린 '2026 세계제조업대회'에서 5세대 D램 기술 플랫폼 'G5' 양산을 발표했다.
핵심은 반도체 회로를 더 촘촘하게 만들었다는 점이다. G5의 핵심 회로 간격은 11.95나노로, D램에서 데이터를 저장하는 주요 영역의 회로 간격을 12나노 아래로 줄였다.
삼성전자·SK하이닉스의 10나노급 D램과 숫자만 놓고 기술 수준을 비교하기는 어렵다. 업체마다 공정 세대를 나누는 기준이 다른 데다 CXMT가 공개한 11.95나노는 반도체 전체 공정이 아닌 D램 내부 특정 회로의 간격을 측정한 수치다.
CXMT는 극자외선(EUV) 장비 없이 회로를 여러 차례 나눠 새기는 방식으로 미세화를 구현했다. 회로가 작아지면서 한 장의 웨이퍼에서 만들 수 있는 칩 수도 늘었다. 회사에 따르면 8기가비트(Gb) 제품 기준 이전 세대보다 최소 50% 증가했다. 이는 불량품을 제외하기 전 만들 수 있는 전체 칩 수를 뜻하며 실제 양산 수율은 공개하지 않았다.
G5를 적용한 24Gb LPDDR5X 제품 2종도 양산에 들어갔다. LPDDR5X는 스마트폰과 휴대용 전자기기 등에 주로 쓰이는 저전력 D램이다.
이날 G5 양산을 발표한 뤄샤오둥 CXMT 부총재는 글로벌 시장 수요에 맞춰 기술 고도화를 이어가고 고성능·고신뢰성 메모리 제품을 확대하겠다는 뜻을 밝혔다.
3년 새 1%→10%…마이크론 규모 접근
CXMT의 변화를 먼저 보여주는 것은 점유율과 생산 규모다.
시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 글로벌 D램 매출 점유율은 올해 2분기 10%를 기록했다. 2023년만 해도 1%에 미치지 못했지만 지난해 2분기 4%, 올해 1분기 8%에 이어 처음 두 자릿수로 올라섰다.
점유율 상승을 기술력만으로 설명하기는 어렵다. 최근 D램 가격이 크게 오르면서 CXMT도 수혜를 봤다. 반도체 전문 분석업체 세미애널리시스는 CXMT의 출하량 증가보다 평균판매가격 상승폭이 컸던 것으로 분석했다.
생산능력도 빠르게 늘고 있다. 세미애널리시스는 CXMT의 D램 웨이퍼 생산능력이 지난해 말 월 26만5000장에서 올해 말 약 35만장으로 증가할 것으로 추정했다.
같은 기준에서 마이크론은 올해 말 약 38만5000장으로 예상된다. 웨이퍼 생산능력만 놓고 보면 두 회사의 격차가 상당히 좁아진 셈이다.
이는 공장에 투입할 수 있는 웨이퍼 규모를 비교한 수치다. 실제 생산량이나 기술 수준이 마이크론과 비슷하다는 의미는 아니다. 제품 구성과 공정, 수율에 따라 실제 생산량과 매출에는 차이가 난다.
세미애널리시스는 CXMT의 생산능력이 2028년 월 50만장까지 늘어날 것으로 전망했다.
범용 D램서 키운 몸집…다음은 HBM
CXMT의 주력은 여전히 DDR과 모바일용 LPDDR 같은 범용 D램이다. HBM에서는 삼성전자·SK하이닉스와 상당한 격차가 있다.
하지만 투자 범위는 HBM으로 넓어지고 있다. 세미애널리시스는 CXMT의 HBM용 웨이퍼 생산능력이 지난해 말 월 5000장 수준에서 올해 말 약 3만장, 2028년 10만장까지 늘어날 것으로 전망했다.
HBM은 D램을 잘 만드는 것만으로는 부족하다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓고 연결하는 기술과 패키징, 높은 수율까지 갖춰야 한다. 생산능력이 늘어난다는 이유만으로 CXMT를 삼성전자·SK하이닉스와 같은 수준의 HBM 사업자로 보기는 이르다.
당장 시장에서 주목할 부분은 범용 D램이다. 삼성전자와 SK하이닉스가 AI용 HBM과 고부가 제품 투자를 늘리는 동안 CXMT는 DDR과 LPDDR 생산 규모를 키우고 있다. 여기서 쌓은 생산 경험과 확보한 자금은 다음 세대 D램 투자로 이어질 수 있다.
D램 밖으로도 눈을 돌리고 있다. 로이터는 지난 18일 CXMT가 베이징 신규 시설에 낸드플래시 연구개발 생산라인 구축을 추진하고 있다고 보도했다. CXMT가 올해 기업공개를 통해 조달한 자금은 약 86억달러다.
미국의 첨단 반도체 장비 수출 규제와 양산 수율, HBM 제조 경험 등 넘어야 할 벽은 여전히 높다. CXMT를 당장 삼성전자·SK하이닉스와 같은 선상에 놓기는 어렵다.
그럼에도 시장에서 차지하는 비중은 달라졌다. 3년 전 1%에도 못 미쳤던 D램 매출 점유율은 10%로 올라섰고 생산능력은 올해 말 월 35만장을 바라본다. 범용 D램에서 규모를 키운 CXMT가 미세공정과 모바일, HBM으로 활동 반경을 넓히고 있다는 점이 이전과 달라진 부분이다.
