三星全力布局HBM，DDR5封装测试外包需求激增
SFA半导体、Hana Micron等后道封测厂商订单增加
HBM（高带宽内存）的扩产正在改变半导体后道封测企业的业务格局。随着三星电子将DRAM产能优先分配给HBM，并对后道工序生产线进行以HBM为中心的重组，部分原有的DDR5封装及测试业务开始流向外部专业厂商。上个月后道封测相关个股的一致急涨，正是源于这一生产结构的变化。
三星电子（005930）预计，明年HBM在全球DRAM厂商整体晶圆产能中的占比，将从目前的约20%提升至接近30%的水平。HBM增产越快，使用相同晶圆产能的通用DRAM供给能力就越吃紧。
三星电子内存事业部副总裁金泰宇在上月29日也解释称，鉴于HBM与通用DRAM共享晶圆产能，HBM产量的扩大可能会抑制通用DRAM的供应。
产能向HBM倾斜…DDR5供给趋紧
HBM是一种将多块DRAM垂直堆叠以提高数据处理速度的高附加值内存。DDR5则是广泛应用于服务器和个人电脑等领域的通用DRAM最新一代规格。由于HBM比通用DRAM消耗更多的晶圆，随着其生产比重的提高，分配给现有DRAM的产能将相应缩减。
KB证券分析认为，即使三星电子整体DRAM产能有所增加，由于新设备将优先分配给HBM及服务器用大容量产品，通用DRAM的供应增幅将受到限制。
服务器用大容量DDR5已出现供应不足的信号。数据显示，9月份的交付周期（Lead Time）最长达52周，远超正常市场环境下的6周。这意味着从下单到收到产品，最长可能需要等待一年。
KB证券研究中心主任金东源指出，HBM这一新兴产品群在短短2-3年内就占据了DRAM晶圆总产能的30%，这可能导致通用DRAM长期供应短缺。
HBM的扩产不仅仅是产品结构的变化，更在于改变了有限产能的分配优先级。
DDR5流出三星…订单涌向后道厂商
这一变化直接波及了后道封测环节。为配合HBM产量的扩张，三星电子正将温阳（Onyang）工厂的后道生产线重组为以HBM为中心，原先由内部处理的部分通用内存封测订单开始外包。
SFA半导体正在扩大DDR5的封装和最终测试订单。韩亚证券推测，该公司DDR5测试营收将从去年的356亿韩元增长至2027年的1692亿韩元，增幅约4.8倍。这是三星电子扩大DDR5外包从而带动后道企业业绩的典型案例。
包括Hana Micron、Hanyang Digitech、A-FACT在内的内存后道封测厂商近期均受到市场关注。
三星在HBM领域投入的设备越多，原有的DDR5后道订单就越向外溢出，这便是近期后道封测厂商业务量增加的背景。
后道封测股单月急涨…预期已提前反映在股价中
股市的反应非常迅速。9月份KOSDAQ指数上涨2.3%期间，SFA半导体上涨89.1%，Hanyang Digitech上涨55.1%，A-FACT上涨52.8%，Hana Micron上涨33.2%。
HBM投资初期，高端设备和材料率先受到市场追捧。如今随着产量的增加，订单已传导至封装和测试环节。随着投资从初期阶段进入产能扩张期，市场的关注点也从设备和材料领域扩展到了负责处理实际产量的环节。
不过，近期股价已相当程度反映了对外包扩大的预期。由于不同后道企业的工艺、客户群体及产能储备各不相同，业绩反映的速度可能会存在差异。
上个月相关个股虽同步上涨，但未来走势可能出现分化。外包订单能转化为多少实际营收，以及开工率的提升能否带来利润率的改善，将成为衡量各企业业绩表现的核心标准。
