继龙仁、清州54万亿韩元投资后延伸至湖南…扩大AI存储器产能
拟于2028年动工…美光称“至2028年仍将供应不足”
尽管SK海力士（000660）已将龙仁半导体产业园的完工时间提前了12年，但工厂建设规模反而进一步扩大。继确定在龙仁和清州投资54.3万亿韩元后，SK海力士目前正推动在湖南地区建立大型生产基地。全球存储器市场预计，供应不足的状况将持续至2028年。
SK集团会长崔泰源于本月9日访问光州军用机场旧址时，提及了龙仁和湖南工厂同步建设的可能性。崔会长表示：“预计半导体需求将持续以相当快的速度增长。如果有必要，似乎有理由在推进龙仁半导体产业园的同时，先行建设湖南工厂。”
目前构想的湖南生产基地规模约为龙仁的三分之二，并表示若未来需求增加，还可进一步扩大。现场准备工作也在进行中。SK海力士经营团队已十余次考察湖南基地，政府与地方自治团体正在研究优先开发国家产业园预定地820万平方米中的208万平方米。有方案提出，待军用机场地块于2028年移交后即可动工。
龙仁、清州54万亿韩元投资已定…受惠于HBM热潮加快建厂速度
SK海力士计划在龙仁半导体产业园内建设4座先进制程半导体工厂。公司将原定于2045年的整体完工目标提前至2033年。随着AI数据中心投资增加，以HBM（高带宽内存）为首的存储半导体需求激增，公司调整了原先分阶段、长期确保产能的计划。
今年8月，公司批准了总额达54.3万亿韩元的投资计划，其中龙仁Y2工厂为35.2万亿韩元，清州M17工厂为19.1万亿韩元。龙仁Y2工厂目标在2029年6月、清州M17工厂目标在2028年12月实现首个洁净室投产。两座工厂投入实际量产前，还需经过设备搬入、试运行及良率稳定化等过程。
存储器企业竞相加快建厂速度，与HBM产能扩充息息相关。HBM相比普通DRAM制造工艺更为复杂，对晶圆和设备资源的需求量也更大。随着HBM产量增加，分配给普通DRAM的生产能力可能会被压缩，但近期AI服务器专用HBM及普通服务器DRAM需求都在同时增长。
美国美光公司也在最近的业绩发布会上预测，2027年和2028年DRAM及NAND闪存市场将持续供应受限。即使DRAM位元出货量保持每年20%出头的增幅，供应短缺状况也难以轻易解决。
美光首席执行官（CEO）桑杰·梅赫罗特拉表示：“预计2027年和2028年需求将超过供给，供需形势将比今年更加紧迫。”
即使在龙仁和清州建设新工厂，实际产能的扩大仍需数年时间。若能确保湖南作为追加生产基地，则可在龙仁产业园整体完工前，实现新生产设施的分阶段投产。
2028年动工传闻…尚需克服军用机场搬迁及电力供应难题
湖南半导体产业园计划选址于光州军用机场周边。政府今年6月发布的长期投资计划中，包含了SK海力士与三星电子各建设2座半导体工厂，共计4座的方案。
崔会长在谈及湖南生产基地规模时表示：“目前计划规模约为龙仁的三分之二”，并留下了若需求进一步增加则扩大规模的可能性。为加快工厂建设，公司正在研究在基础设施完工前先行开始部分施工的方案。
崔会长指出：“即使用水和电力供应有所延后，只要能赶上时间节点，我认为应该先入场建设。”
湖南生产基地尚需经过军用机场搬迁、场地平整、电力及用水供应设施建设等程序。政府与全南光州市虽然提出了2030年6月首次量产的目标，但SK海力士具体的动工时间和各工厂的投资日程尚未最终确定。
大规模扩产带来的压力也不容忽视。路透社此前在分析三星电子和SK海力士的扩产计划时指出，如果AI投资增长势头放缓，可能会增加供应过剩的风险。存储产业曾有过在繁荣期集中设备投资，导致数年后产能过剩从而引发价格下跌的先例。
SK海力士将龙仁产业园完工时间提前12年并考虑建设湖南生产基地，旨在扩大针对2030年代存储器需求的投资。在已决定向龙仁和清州投入54.3万亿韩元的情况下，若湖南工厂也落成，投资压力将进一步加大。此次扩产的成效，将取决于未来AI存储器需求的可持续性。
